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高頻直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，應(yīng)用*PWM脈沖寬度調(diào)制技術(shù)，提高電源調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率，使電壓穩(wěn)定度高，紋波小。使用進(jìn)口大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù)，消除開關(guān)干擾，實現(xiàn)高壓發(fā)生器的高品質(zhì)和便攜性。選用進(jìn)口高頻高壓整流二極管，使倍壓筒更加小巧輕便，提升整機效率。根據(jù)EMI電磁干擾和EMC電磁兼容理論，采用屏蔽、隔離和接地等措施，提升整機安全性，并能承受額定電壓放電而不損壞。

高壓直流發(fā)生器采用高頻倍壓電路，應(yīng)用*PWM脈沖寬度調(diào)制技術(shù)，提高電源調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率，使電壓穩(wěn)定度高，紋波小。使用進(jìn)口大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù)，消除開關(guān)干擾，實現(xiàn)高壓發(fā)生器的高品質(zhì)和便攜性。選用進(jìn)口高頻高壓整流二極管，使倍壓筒更加小巧輕便，提升整機效率。根據(jù)EMI電磁干擾和EMC電磁兼容理論，采用屏蔽、隔離和接地等措施，提升整機安全性，并能承受額定電壓放電而不損壞。

中頻直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，應(yīng)用*PWM脈沖寬度調(diào)制技術(shù)，提高電源調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率，使電壓穩(wěn)定度高，紋波小。使用進(jìn)口大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù)，消除開關(guān)干擾，實現(xiàn)高壓發(fā)生器的高品質(zhì)和便攜性。選用進(jìn)口高頻高壓整流二極管，使倍壓筒更加小巧輕便，提升整機效率。根據(jù)EMI電磁干擾和EMC電磁兼容理論，采用屏蔽、隔離和接地等措施，提升整機安全性，并能承受額定電壓放電而不損壞。

一體式直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，應(yīng)用*PWM脈沖寬度調(diào)制技術(shù)，提高電源調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率，使電壓穩(wěn)定度高，紋波小。使用進(jìn)口大功率IGBT器件及其驅(qū)動技術(shù)，消除開關(guān)干擾，實現(xiàn)高壓發(fā)生器的高品質(zhì)和便攜性。選用進(jìn)口高頻高壓整流二極管，使倍壓筒更加小巧輕便，提升整機效率。根據(jù)EMI電磁干擾和EMC電磁兼容理論，采用屏蔽、隔離和接地等措施，提升整機安全性，并能承受額定電壓放電而不損壞。

ZGF系列高壓發(fā)生器采用了高頻倍壓電路，應(yīng)用了*的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù)，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能*的大功率IGBT器件及驅(qū)動技術(shù)，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使該儀器實現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。具有輸出功率大、體積小的特點，有可靠的過壓、過流及零位合閘保護(hù)功能，帶0.75倍電壓切換功能。

ZGF系列直流高壓發(fā)生器采用了高頻倍壓電路，應(yīng)用了*的PWM高頻脈寬調(diào)制技術(shù)，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能*的大功率IGBT器件及驅(qū)動技術(shù)，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使該儀器實現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。具有輸出功率大、體積小的特點，有可靠的過壓、過流及零位合閘保護(hù)功能，帶0.75倍電壓切換功能。